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Dettagli:
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| Materiale: | GaN | Tipo: | GaN-FS-10, GaN-FS-15 |
|---|---|---|---|
| Orientamento: | ± 0.5° di C-asse (0001) | TTV: | µm ≤15 |
| Arco: | ≤20 µm | Concentrazione in trasportatore: | >5x1017/cm3 |
| Spessore tipico (millimetri): | N tipo, Semi-isolando | Resistività (@300K): | < 0="">106 Ω•cm |
| Area utilizzabile: | > 90% |
Con un ampio intervallo di banda diretto ((3.4 eV), forti legami atomici, elevata conduttività termica ed eccellente resistenza alle radiazioni, il GaN non è solo un materiale optoelettronica a lunghezza d'onda corta,ma anche un materiale alternativo per dispositivi a semiconduttori ad alta temperaturaSulla base delle proprietà fisiche e chimiche stabili, il GaN è adatto per applicazioni a LED (luce blu, verde, UV), rilevatori ultravioletti e dispositivi optoelettronici ad alta potenza e ad alta frequenza.
| Specificità | ||
| Tipo | GaN-FS-10 | GaN-FS-15 |
| Dimensione | 100,0 mm × 10,5 mm | 140,0 mm × 15,0 mm |
| Spessore |
Classe 300, Classe 350, Classe 400 |
300 ± 25 μm, 350 ± 25 μm, 400 ± 25 μm |
| Orientazione | Asse C ((0001) ± 0,5° | |
| TTV | ≤ 15 μm | |
| BIO | ≤ 20 μm | |
| Concentrazione del vettore | > 5x1017/cm3 | / |
| Tipo di conduzione | Tipo N | Semi-isolatori |
| Resistenza ((@ 300K) | < 0,5 Ω•cm | > 106Ω•cm |
| Densità di dislocazione | Minori di 5x106cm- Due. | |
| Superficie utilizzabile | > 90% | |
| Polizione |
Superficie anteriore: Ra < 0,2 nm. Superficie posteriore: terreno fine |
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| Pacco | Confezionato in ambienti di classe 100 in ambienti puliti, in contenitori singoli, in atmosfera di azoto. | |
Persona di contatto: Mr. JACK HAN
Telefono: 86-18655618388
