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Wafer e substrati

Cina Wafer e substrati

Substrati di GaN

Materiale:GaN

Tipo:GaN-FS-10, GaN-FS-15

Orientamento:± 0.5° di C-asse (0001)
Gadolinium Gallium Garnet GGG Wafer e substrati

materiale:Gadolinio gallio granato (GGG) cristallo singolo

metodo di crescita:Metodo di Czochralski

Punto della colata (℃):1800℃

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circa

Cristalli del laser: Cristallo birifrangente del laser YVO4 di Orthovanadate 35mm dell'ittrio; Cristalli a magneto ottico del laser di Tb3Ga5O12 Faraday TGG; Cristalli del laser di NdYAG di smusso della struttura cubica 0.1mm

Pacchetto ermetico del laser di alto potere: Pacchetto ermetico del laser di alto potere di COS Mounting 2pin; Pacchetto di rame senza ossigeno della farfalla di alto potere di dissipazione di calore; Pacchetto del laser di potere di 2 Pin Laser Diode Hermetic High

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